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深圳市月盛電子有限公司G3VM-353A/D MOS FET繼電器
最適合應(yīng)用于模擬信號開關(guān)的4腳型MOS FET繼電器
1B(1極常開)接點型。
歐姆龍MOS繼電器G3VM-353A G3VM-353D
電氣性能（Ta ＝25℃）
| 項目 | 符號 | 最小 | 標準 | 最大 | 單位 | 條件 | |
| 輸入側(cè) | LED正向電壓 | VF | 1.0 | 1.15 | 1.3 | V | IF=10mA |
| 反向電流 | IR | — | — | 10 | μA | VR＝5V | |
| 端子間電容 | CT | — | 30 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
| 觸發(fā)LED正向電流 | IFC | — | 1 | 3 | mA | IOFF=10μA | |
| 復(fù)位LED正向電流 | IFT | 0.1 | — | — | mA | Io=150mA | |
| 輸出側(cè) | 最大輸出導(dǎo)通電阻 | RON | — | 15 | 25 | Ω | IO＝150mA |
| 開路時漏電流 | ILEAK | — | — | 1.0 | μA | IF=5mA、VOFF=350V | |
| 端子間電容 | C0FF | — | 30 | — | pF | V=0、f=1MHz、IF=5mA | |
| 輸入輸出間電容 | CI-O | — | 0.8 | — | pF | f=1MHz、VS=0V | |
| 輸入輸出間電容絕緣電阻 | RI-O | 1000 | 108 | — | MΩ | VI-O＝500VDC、ROH≦60% | |
| 動作時間 | tON | — | 0.1 | 1.0 | ms | IF=5mA 、RL=200Ω、VDD=20V（注2） | |
| 復(fù)位時間 | tOFF | — | 0.1 | 3.0 | ms | ||
| （注2）: 動作· 復(fù)位時間 | |
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